铭芯启睿完成1T4R 1Gb RRAM芯片流片
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铭芯启睿完成1T4R 1Gb RRAM芯片流片
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铭芯启睿（MemSilicon）宣布完成基于1TnR技术路线的首代高密度、大容量RRAM芯片“泰山一号（MountTai 2026）”流片，目前正推进验证。 该芯片采用28nm CMOS工艺平台和1T4R单元结构，单芯片容量1Gb，密度达30Mb/mm²，访问延时小于20ns，并集成片上硬件纠错电路。
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最新进展10月14日 16:22
铭芯启睿完成首款高密度、大容量1T4R 1Gb RRAM芯片流片，正在推进验证报道时间线
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10月14日
- 新浪A股要闻铭芯启睿完成首款高密度、大容量1T4R 1Gb RRAM芯片流片，正在推进验证
铭芯启睿（MemSilicon）宣布完成基于1TnR技术路线的首代高密度、大容量RRAM芯片“泰山一号（MountTai 2026）”流片，目前正推进验证。该芯片采用28nm CMOS工艺和1T4R单元结构，单芯片容量1Gb，密度达30Mb/mm²，访问延时小于20ns，并集成片上硬件纠错电路。
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