三星电子初步研发三种z-NAND闪存
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三星电子初步研发三种z-NAND闪存
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AI 综述
业内人士称，三星电子正在拓展下一代NAND闪存产品“zNAND”的应用范围，初步研发三种类型：除最近发布的z-NAND-O外，还包括z-NAND-T和z-NAND-I。 三星电子去年8月在美国一场存储器相关活动上首次展示了z-NAND-O样机。
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最新进展10月12日 14:21
三星电子开发三款 z-NAND 闪存变体报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月12日
- 金十数据快讯三星电子开发三款 z-NAND 闪存变体
三星电子正为下一代 z-NAND 闪存拓展应用场景，初期开发三款变体：近期推出的 z-NAND-O，以及 z-NAND-T 和 z-NAND-I。三星曾于去年 8 月在美国一场存储活动上首次展示 z-NAND-O 原型。
- 金十数据快讯三星电子正在研发三种类型的 z-NAND 闪存
三星电子正在拓展下一代 NAND 闪存产品 zNAND 的应用范围，初步研发三种类型：除最近发布的 z-NAND-O 外，还包括 z-NAND-T 和 z-NAND-I。三星电子去年 8 月在美国一场存储器相关活动上首次展示了 z-NAND-O 的样机。
- 同花顺快讯三星电子正在研发三种类型的 z-NAND 闪存
业内人士12日透露，三星电子正在拓展下一代NAND闪存产品“zNAND”的应用范围，初步研发三种类型，除最近发布的z-NAND-O外，还包括z-NAND-T和z-NAND-I。三星电子去年8月在美国一场存储器相关活动上首次展示了z-NAND-O样机。
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