长鑫科技发布新型DRAM架构，三星电子、SK海力士股价明显回调

长鑫科技在第四届集成芯片和芯粒大会上公布DRAM器件、4F²架构及混合键合等进展，预计年底推出融合新技术的新一代DDR5 RDIMM产品。相比主流6F²架构，其自研VSG晶体管配合晶圆级混合键合，在不依赖EUV光刻前提下单胞面积缩减约33%、晶圆位元密度提升30%—50%。