长鑫存储发布4F² DRAM架构，年底推出DDR5 RDIMM产品

长鑫存储总裁曹堪宇在第四届集成芯片和芯粒大会上介绍4F² DRAM架构，预计年底推出采用该技术的新一代DDR5 RDIMM产品。该架构采用VSG垂直包围沟道晶体管，相较行业主流6F²架构可提升存储密度，相关公开专利族超300件。